射频前端篇5G换机潮来临,射频前端迎来量

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技术驱动:5G核心技术变化创造新发展机遇

为满足三大场景需求,5G核心技术变化围绕香农定理展开,主要包括增加基站密度、采用MIMO技术与载波聚合技术、提高频段、引入高阶调制等。技术变化创造了射频器件增量需求,带来材料、封装端发展机会。

射频器件数量上,5G手机若支持全频段,至少需要4个天线,采用4T4RMIMO技术;而每新增一个频段需要配置2个滤波器,频段数量增长将直接驱动天线和滤波器数量大幅增长。材料端,5GSub-6GHz频段最适用的工艺方案是GaAs;而在毫米波领域,GaN材料凭借适用高频、高输出功率的优势,更适合作毫米波射频器件材料。封装端,手机内部射频器件与PCB数量不断提升,手机内部空间不足,SiP封装带来模组化机遇。

数量驱动:手机市场迎来换机潮,出货量有望回升

全球智能手机出货量近年来趋稳,但出货结构有所变更,年3G商用,-年3G手机进入高速成长期;年4G开始商用,-年4G手机出货量复合增长率达到%;5G预计年开始商用,5G手机出货量将迎来新一轮高速增长。据IDC预测,年5G智能手机出货量将占智能手机出货量的8.9%,达到1.亿部,到年全球5G手机的市占率将达到26%。

价格驱动:智能手机中射频前端价值占比逐步提升

4G方案的射频前端芯片整体价值与2G/3G方案存在明显增长,据YoleDevelopment数据,支持区域性4G制式手机中射频前端芯片价值达6.15美元,高端LTE手机中射频芯片价值15.30美元。5G商用临近,射频器件需满足高频高速与模组集成需求,技术难度提升,射频前端芯片价值将继续上升,5G低频段单机手机射频芯片价值预计达32美元,毫米波单机手机射频芯片价值预计达38.50美元。




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