5G继续领先，慧智微AgiFEM5G第三代5GUHB单频方案量产。
慧智微AgiFEM5G第三代5GUHB单频方案芯片S-11、S-11在多家国际品牌厂商系统验证完成，慧智微领先实现全新一代5GUHB高集成射频前端方案量产。搭载S-11及S-11芯片的多款终端将于年底前上市量产。
图：慧智微S-11、S-11产品及终端PCBA（隐去其他器件）
从年5G方案开始定义起，5GUHB方案先后经历了需求提出、需求明确和需求固化三个阶段。
射频前端方案也从分立方案走向集成方案，再走向高集成度方案。S-11和S-11芯片是慧智微基于AgiFEM5G可重构5G射频前端平台推出的全新一代5GUHB单频射频前端集成模组芯片。在上一代的基础上实现了性能优化、可靠性增强以及集成度提升，更好的匹配了5GUHB方案演进需求。
S-11是应用于5GUHB单频方案的n77/T2RL-PAMiF收发模组芯片。
S-11是配合S-11完成完整5G1T4R功能的n77/RL-FEM接收模组芯片。
两颗芯片主要规格如下：
图：S-11产品框图
S-11：
支持n77/78频段；
集成一路功率放大器PA、两路低噪声放大器；
集成射频收发开关及SRS输出开关，可同时支持RefarmingbandMIMO及SRS需求；
Vcc低压4.5V下满足PC2功率输出需求，提升芯片可靠性，降低烧PA风险；
n77/78全频段输出功率满足29dBm，支持整机天线口26dBmPC2发射功率需求；
多档位LNA增益，匹配不同平台需求；
全倒装设计，提升器件散热能力与射频性能；
3x5m㎡小型化尺寸。
图：S-11产品框图
S-11：
支持n77/78频段；
集成两通道低噪声放大器、射频开关、自研高性能IPD滤波器；
2.6dB低噪声系数，实现更优接收性能；
支持LNA多档增益，匹配不同平台需求；
全倒装设计，实现射频器件高性能；
2.8x2.6m㎡小型化尺寸。
慧智微在年6月开始投入进行AgiFEM5G第三代5GUHB方案开发，经过15个月紧张高效开发，于年9月实现量产。产品开发主要时间点为：
年6月，5GUHB单频1T2R、2R项目立项；
年7月，技术方案确定：选定慧智微低压PA技术内核作为主要技术路径；
年9月，产品方案确定：与国际头部厂商及平台收敛产品pin脚、方案及规格；
年10月，产品第一次流片；
年1月，产品ES0，单体功能验证成功。
年4月，产品ES1，客户送样，先导客户功能验证成功；
年6月，产品CS，客户系统验证；
年8月，多个客户项目系统验证成功；
年9月，产品正式量产。
得益于慧智微扎实的技术内核、充分的客户及平台沟通，以及高效的产品开发策略，慧智微再次实现5G新方案的领先推出。
解决方案介绍
AgiFEM5G第三代5GUHB单频方案由S-11及S-11两颗芯片构成，方案芯片完全兼容于MTK及头部手机厂商重点推进的高集成Phase7LE方案。
采用本方案，2颗芯片即可完成5GUHB完整单频1T4R收发功能。相较于之前7~8颗模组构成的方案，本方案的推出有助于提升5G终端方案集成度，减少5G射频前端调试时间，助力5G终端产品快速上市。
图：慧智微AgiFEM5G第三代高集成5GUHB单频方案
采用本方案的优势如下：
优势一：高集成度
2颗芯片完成原有方案8颗芯片功能，集成度提升使布板面积减小为原来的1/3左右，并减轻客户物料选择的复杂度。帮助客户实现5G方案的“化繁为简”。
优势二：高性能及高可靠性
方案基于慧智微第三代AgiFEM5G可重构5G射频前端平台，慧智微在实现数千万片产品量产的成熟稳定5G技术平台上，继续提升线性功率，降低功耗。
上一代竞品方案中模组输出功率为28.5dBm，高集成度方案需要将SRS开关集成在L-PAMiF模组内，这将引入额外0.5dB以上的插入损耗。S-11通过改进设计将线性功率提升，使高集成模组线性功率在n77全频段达到29dBm，满足n77全频段PC2功率需求。
对于高集成度模组提高集成度后，频宽变宽，外围电路无法灵活覆盖全频段性能的问题，慧智微第三代AgiFEM5G通过可重构技术对边缘频段性能进行优化。使高集成模组在边缘频点，尤其是nGHz频段以上部分得到优化。
对S-11系统测试结果如下图：
图：S-11系统测试结果
5G由于高功率及高峰均比特性，PA可靠性成为设计中的重要问题，“烧PA”成为应用痛点。在文章《怎么才能不烧射频PA？》中提到，研究显示，低压应用可降低射频电压摆幅，提升PA可靠性。S-11在优化线性的同时，将供电电压由友商产品的5V降低至4.5V，同时保证5V以上的Ruggedness测试通过，提升PARuggedness可靠性。
优势三：可扩展性强
集成多端口高功率SRS开关，可完成n41等频段与UHB频段共天线需求，减少外部元器件使用。
产品均可独立使用，两颗L-PAMiF产品S-11即可实现2T4R功能（目前2T4R在高端旗舰手机及物联网模块中有应用）。
优势四：兼容MTKPhase7LE
方案Pin脚定义与系统应用兼容MTK最新Phase7LE方案，方便兼容设计。
优势五：高集成度，降低晶圆供应链压力
方案内部采用高集成度可重构技术方案实现，S-11/S-11两个模组只用到SOI/HBT两种工艺，一共三颗die，不含产能紧缺的CMOS工艺。该方案经上一代5G产品量产验证，能显著减轻晶圆供应链压力，为保证客户稳定供货提供有力支撑。
优势六：经过国际厂商检验的大批可靠性一致
慧智微5G产品自年产品推出已来，在过去两年里持续更新迭代，与国际厂商保持同时同质推出产品。慧智微5G高集成度模组产品目前已经出货数千万片，支持20个以上5G终端量产。
慧智微射频前端模组采用可重构技术平台进行设计，拥有更高集成度，晶圆数目更少，与其他厂商相比带来更高的产品一致性。在慧智微专业的品质与交付团队的管理下，在客户端实现良好的品质交付。
通过对5GUHBn77/78/79高集成模组S-12在客户端千万量级的出货统计跟踪，S-12实现平均产线不良率低于50DPPM优异数据，远低于行业对普通项目的DPPM以下产线不良率标准，以及高端项目DPPM以下产线不良率标准。
图：慧智微5GUHB产品产线DPPM数据
低于行业高端项目DPPM以下的产线不良率标准。
支持5G未来演进
据MobileExpert统计，自年5G正式商用以来，目前5G的连接数已经超过4亿，并且还将以每年近2亿部的速率增长。预计在年，5G终端年出货量达到年出货9亿部，届时5G会超过4G，成为全球出货量最大的终端通信制式。